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Laser THZ a semiconduttore incorporante guida d’onda a confinamento plasmonico controllato

Un laser semiconduttore comprende una regione attiva che, in risposta a un'energia di pompaggio applicata, può produrre un'emissione stimolata di radiazioni con una lunghezza d'onda centrale nella regione dell'infrarosso lontano, e una regione di confinamento adatta a confinare la radiazione nella regione attiva e comprendente almeno un'interfaccia tra strati adiacenti in grado di supportare i modi plasmonici di superficie generati dall'interazione dell'interfaccia con la radiazione.

Abstract brevetto

A semiconductor laser includes an active region that, in response to an applied pumping energy, can produce stimulated emission of radiation with a central wavelength in the far-infrared region, and a confinement region suitable for confining the radiation in the active region and including at least one interface between adjacent layers capable of supporting surface plasmonic modes generated by the interaction of the interface with the radiation. The confinement region includes a wave guide layer bounded on opposite sides by a first interface and a second interface. The guide layer is equipped such that the first and second interfaces are capable of supporting plasmonic modes, respectively, and is thick enough to result in the accumulation of plasmonic modes in the vicinity J of the first and second interfaces, on the outside of the layer, and substantially a suppression of plasmonic modes, on the inside of the layer.

Titolari

Scuola Normale Superiore di PISA

Inventori

Fabio BELTRAM, Ruedeger KOEHLER, Alessandro TREDICUCCI, Harwey Edward BEERE, Alexander Giles DAVIES,Edmund Harold LINFIELD

Domanda di priorità

Numero deposito: IT2002TO00274
Data deposito: 27/03/2002

Status

Abbandonato

Famiglia brevettuale

Numero di deposito Data deposito Titolo Nazione deposito
WO2003IB01080 24-03-2003 THz SEMICONDUCTOR LASER INCORPORATING A CONTROLLED PLASMON CONFINEMENT WAVEGUIDE Mondiale
AT20030744952T 24-03-2003 THZ-HALBLEITERLASER MIT EINEM GESTEUERTEN PLASMON-CONFINEMENT-WELLENLEITER Austria
AU20030209936 24-03-2003 Thz semiconductor laser incorporating a controlled plasmon confinement waveguide Australia
DE2003605910T 24-03-2003 THZ-HALBLEITERLASER MIT EINEM GESTEUERTEN PLASMON-CONFINEMENT-WELLENLEITER Germania
EP20030744952 24-03-2003 THz SEMICONDUCTOR LASER INCORPORATING A CONTROLLED PLASMON CONFINEMENT WAVEGUIDE Europeo
JP20030579329 24-03-2003 THz semiconductor laser incorporating a controlled plasmon confinement weveguide Giappone
US20040508996 27-09-2004 THz semiconductor laser incorporating a controlled plasmon confinement waveguide Stati Uniti

Area tematica

Chimica, fisica, nuovi materiali e processi di lavorazione