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Laser THZ a semiconduttore incorporante guida d’onda a confinamento plasmonico controllato

Un laser semiconduttore comprende una regione attiva che, in risposta a un'energia di pompaggio applicata, può produrre un'emissione stimolata di radiazioni con una lunghezza d'onda centrale nella regione dell'infrarosso lontano, e una regione di confinamento adatta a confinare la radiazione nella regione attiva e comprendente almeno un'interfaccia tra strati adiacenti in grado di supportare i modi plasmonici di superficie generati dall'interazione dell'interfaccia con la radiazione.

Chimica, fisica, nuovi materiali e processi di lavorazione

Un laser semiconduttore comprende una regione attiva che, in risposta a un’energia di pompaggio applicata, può produrre un’emissione stimolata di radiazioni con una lunghezza d’onda centrale nella regione dell’infrarosso lontano, e una regione di confinamento adatta a confinare la radiazione nella regione attiva e comprendente almeno un’interfaccia tra strati adiacenti in grado di supportare i modi plasmonici di superficie generati dall’interazione dell’interfaccia con la radiazione. La regione di confinamento comprende uno strato guida d’onda delimitato su lati opposti da una prima interfaccia e da una seconda interfaccia. Lo strato guida è equipaggiato in modo tale che le prime e le seconde interfacce siano in grado di supportare i modi plasmonici, rispettivamente, e ha uno spessore tale da determinare l’accumulo dei modi plasmonici in prossimità J delle prime e delle seconde interfacce, all’esterno dello strato, e sostanzialmente una soppressione dei modi plasmonici, all’interno dello strato.

Titolari

Scuola Normale Superiore di PISA

Inventori

Fabio BELTRAM, Ruedeger KOEHLER, Alessandro TREDICUCCI, Harwey Edward BEERE, Alexander Giles DAVIES,Edmund Harold LINFIELD

Domanda di priorità

Numero deposito: IT2002TO00274
Data deposito: 27/03/2002

Famiglia brevettuale

Numero di deposito Data deposito Titolo Nazione deposito
WO2003IB01080 24-03-2003 THz SEMICONDUCTOR LASER INCORPORATING A CONTROLLED PLASMON CONFINEMENT WAVEGUIDE Mondiale
AT20030744952T 24-03-2003 THZ-HALBLEITERLASER MIT EINEM GESTEUERTEN PLASMON-CONFINEMENT-WELLENLEITER Austria
AU20030209936 24-03-2003 Thz semiconductor laser incorporating a controlled plasmon confinement waveguide Australia
DE2003605910T 24-03-2003 THZ-HALBLEITERLASER MIT EINEM GESTEUERTEN PLASMON-CONFINEMENT-WELLENLEITER Germania
EP20030744952 24-03-2003 THz SEMICONDUCTOR LASER INCORPORATING A CONTROLLED PLASMON CONFINEMENT WAVEGUIDE Europeo
JP20030579329 24-03-2003 THz semiconductor laser incorporating a controlled plasmon confinement weveguide Giappone
US20040508996 27-09-2004 THz semiconductor laser incorporating a controlled plasmon confinement waveguide Stati Uniti

Area tematica

Chimica, fisica, nuovi materiali e processi di lavorazione